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滑動軸承減摩層的電鍍新工藝

來源:軸承網 時間:2018-06-25

[摘要]用正交實驗法調查了滑動軸承(又稱軸瓦)減摩層電鍍液中有關成份的含量及工藝參數對鍍層功能的影響;使該電鍍工藝得到了進一步優化;顯著進步了鍍層質量;滿意了主機廠新機型對滑動軸承質量的需求.
1 前語
在內燃機中運用的滑動軸承(又稱軸瓦)是易損的要害零件.機械加工結束后;通常在其內外表的基體上先電鍍1~3μm厚的鎳(Ni)柵阻擋層[1~2];繼之電鍍15~30μm厚的鉛錫銅(PbSnCu)三元合金減摩層[3~24];結尾在悉數外表上電鍍1~2μm厚的錫(Sn)或鉛錫(PbSn)合金防護層[2].
在軸瓦的內外表供給減摩層的意圖是為了進步軸瓦的減摩性、耐磨性、耐蝕性、鑲嵌性、順應性、磨合性、抗咬合性、抗疲勞強度、抗壓強度、承載才能等;然后進步其作業功能;延伸運用壽命;結尾確保主機的高功能運轉.
通常依據運用需求挑選鍍層品種.小型發動機的軸瓦通常運用PbSn6~20二元合金[12~13、16~17、22];也有運用鉛銅(PbCu)、鉛銀(PbAg)二元合金的.跟著時刻的推移和科學技術的開展;關于大、中型柴油機、內燃機上運用的軸瓦;需求具有負載才能大、運用壽命長;且應具有杰出的潤滑性、耐蝕性、耐磨性等功能.理論證明;在傳統的鉛錫(PbSn6~20)二元合金減磨鍍層中參加少數的第三組分元素銅(Cu)就能夠顯著改善鍍層功能[3、10、20].當鉛錫(PbSn6~20)二元合金鍍層中加2~3%的銅時;一方面因為銅與錫具有必定的親合勢;在必定程度上按捺了錫向面料(即基體)渙散;有利于確保鍍層中錫含量及其金相布局的安穩,另一方面;因為參加了銅后;鍍層的硬度從本來HV8~10進步到HV13~15;大大改善了鍍層的耐磨性和抗疲勞強度等;然后顯著進步了軸瓦的負載才能;運用壽大幅度延伸.
若在面料金屬上直接電鍍減摩鍍層;則鍍層中的錫簡單向面料渙散;使得軸瓦在作業一段時刻后;鍍層內的錫含量降低到小于6%(質量).而且無論是銅基合金面料仍是鋁基合金面料;其間都富含必定量的銅;渙散到面料中的錫能與銅生成脆性大的金屬間化合物(Cu3Sn).這樣不只使鍍層的機械功能降低;而且破壞了面料的布局;至使軸瓦的全體機械功能降低.處理該難題的方法是在面料資料與減摩底層之間電鍍一層鎳或鎳基合金阻擋層(又稱柵層或阻擋層);以按捺錫向面料渙散[1~2].
錫或鉛錫合金防護層除了具有必定的防腐蝕作用外;在軸瓦作業時刻還能夠渙散的方法彌補減摩層中的錫的含量;使其各成分的含量處于相對安穩的狀況.別的;因為這層防護層不含銅;相對較軟;因而軸瓦在作業的初期就能到達杰出的磨合需求.
本文首要調查軸瓦減摩層的電鍍工藝.
2 開展進程
減摩鍍層在國外的研討起步較早.1920年由格羅奧夫(J。Grooff)提出了電鍍鉛錫合金的榜首個專利;并用于水兵魚雷儲氣瓶的內外表電鍍;到二十世紀四十年代開端用于軸瓦的電鍍.1952年舒爾茨(Schults)提出了在鋁及鋁硅(AlSi)合金基體上電鍍鉛錫銅三元合金的專利.1953年舍夫(Schoefe)曾宣布軸瓦運用鉛錫銅合金的總述.1976年;Jong Sang Kim;Su ιι Pyun and Hyo Geun Lee宣布了“鉛錫銅電鍍層的晶面取向及微觀描摹”的論文[7].1980年畢比(Beebe)提出含銅2~3%(質量)、錫9~12%(質量);其他為銅的三元合金電鍍出產工藝流程;鍍層厚度為15μm.1982年沃特曼(Waterman)等人就三元合金電鍍液中銅離子(Cu2+)的置換難題提出了處理的方法.
國內關于減摩合金鍍層的研討和運用起步較晚.1960年頭;武漢資料保研討所與海陵榜首配件廠首要研發并用于出產的電刷鍍鉛錫合金工藝已用于快艇發動機的電鍍.二十世紀七十年代中期;上海合金軸瓦廠及上海東造船廠對軸瓦電鍍銅錫合金工藝者了較具體的研討[12~13].1985年;哈爾濱工業大學電化學教研室與中國船舶工業總公司四六六廠共同研討了鉛青銅滑動軸承上電鍍鉛錫銅三元合金減摩層的工藝;并已用于出產.1989年;Dusanka Radoric宣布了“在氟硼酸鹽鍍液中以氫醌(對一苯二酚)為添加劑的鉛錫合金電鍍”的論文16.十十世紀末;南通軸瓦廠的范家華、姜志東21、24;武漢資料保研討所的曾良宇、楊先桂、王會文8、17;廣西桂林內燃機配件廠的秦勝毅9;戚墅堰機車車輛工藝研討所薛伯生20等對減摩層的電鍍工藝從不一樣的方面先后進行過不一樣程度的研討;為該工藝在出產運用中的進一步完善奠定了必定的根底.
3 難題的提出
我廠的鉛錫銅三元合金減摩鍍層的電鍍工藝屬國內首創;多年來為我國主機配件商場供給了很多軸瓦.這些年;我廠軸瓦產物定貨量逐年上升;而且有些軸瓦產物已打入世界市.哂幸歡康某隹.這充沛體現了我廠的軸瓦產物在劇烈的商場競賽中具有恰當強的實力.
自1989年到1991年時刻;經過咱們的艱苦盡力、重復實驗;已從根本上處理了軸瓦鍍層起泡、脫皮等附著強度差的喪命缺點難題,消除了基體遭受批量性嚴肅腐蝕的毛病,克服了批量性壁厚超差;進步了工序才能,廢品丟失率一向很低;一次交檢合格品率逐年進步.
可是;鍍層粗糙、結瘤、花斑、凹坑、氣流條紋等缺點還時有發作;有時還呈現陰極電流密度(DK)達不到工藝規模的表象.
減摩鍍層的上述缺點直接影響軸瓦產物質量.跟著主機廠機型的不斷更新換代、進口機型的國產化及商場競賽的日趨劇烈;用戶對軸瓦產物質量的需求越來越高.商場的競賽從根本上說就是產物質量的競賽.在用戶對產物質量指標需求日益進步的局勢下;咱們面臨著改善軸瓦電鍍工藝、進一步進步軸瓦產物質量這一新課題的嚴肅應戰.
4 影響軸瓦減摩鍍層質量的有關要素
4。1 鉛錫銅三元合金減摩層電鍍液的文獻配方及工藝參數
  文獻[3~10、20、23~24]中宣布的鉛錫銅三元合金鍍液中有關成分的含量及工藝參數歸納如下:
  Pb2+(以Pb(BF4)2的方式參加):80~333g/ι,
  Sn2+(以Sn(BF4)2的方式參加):5~33。3g/ι,
  Cu2+(以Cu(BF4)2的方式參加):2~11g/ι,
  HBF4(游離):40~300g/ι,
  H3BO3(游離):15~40g/ι,
  安穩劑:2~12g/ι,
  添加劑:0。1~5g/ι,
  陰極電流密度(DK):1~8A/dm2,
  溫度(T):15~30℃,
  時刻(t):15~35min,
  鍍層厚度(δ):15~30μm,
  陽極的組成:PbSn8~11.
4。2 影響減摩鍍層質量的有關要素
  從上述配方中能夠看到;無論是成分含量仍是工藝參數;其規模都太寬,為習慣出產需求;有必要進一步尋優;在進行尋優實驗之前先對影響減摩鍍層質量的有關要素進行必要的剖析;以斷定正交實驗中各因子水平的可行域.
4。2。1 主鹽離子濃度的影響
鍍液中的主鹽離子為Pb2+、Sn2+、Cu2+.其間的Sn2+、Cu2+的含量可依據合金鍍層中Sn、Cu的分量百分含量進行相應的調整;能夠滿意用戶對鍍層成分含量的需求.因而對主鹽離子而言;僅就鍍液中的Pb2+含量對鍍層質量的影響進行評論.
鍍液中的Pb2+為合金鍍層供給首要組分;文獻報導的含量規模為80~333g/ι.若是其濃度較高;則答應運用較高的陰極電流密度;堆積速度快,但渙散才能降低;帶出丟失較大.若是其濃度較低;則渙散才能較好;但堆積速度較慢.若是含量太低則鍍液的濃差極化太大;電流升不上去;鍍層易呈現氣流條紋缺點和棱錐形的微觀金相布局;直觀上體現為鍍層粗糙.若是含量過高則一方面使鍍液帶出丟失增大;添加本錢,另一方面在氣溫較低時易發作硼酸(H3BO3)及添加劑的析呈表象;然后構成鍍層粗糙.適合的含量是DK升至工藝規則的上限;且鍍層結晶詳盡,在氣溫降至15℃以下時;鍍液中應無硼酸及添加劑的析呈表象.
4。2。2 游離氟硼酸(HBF4)濃度的影響
其首要作用為推進陽極正常溶解,避免二價錫(Sn2+)的氧化和按捺首要離子(Pb2+、Sn2+、Cu2+)的水解;進步鍍液的安穩性,進步導導性及渙散才能,細化結晶.
文獻報導的含量規模為40~300g/ι.
當游離氟硼酸的含量過低時;它離解出的氫離子(H+)濃度低;鍍液中能夠發作如下水解反響,
  Pb2++2H2O<==>Pb(OH)2↓+2H+
  Sn2++2H2O<==>Sn(OH)2↓+2H+
  Cu2++2H2O<==>Cu(OH)2↓+2H+。
它們都生成氫氧化物堆積而懸浮于鍍液中.電鍍時;它們粘附于基體外表或夾雜在鍍層內;使得鍍層與基體之間的結合力降低;且鍍層發脆、粗糙、起花斑;然后鍍層的耐磨性及抗疲勞強度等功能顯著降低.
當鍍液中的游離氟硼酸含量過高時;在鍍件的高電流密度處;即軸瓦有毛刺的當地或銳邊、端面等有氫氣分出.其成果是在軸瓦鍍層上面發作氣流條紋和針孔缺點.一起;因為邊緣效應和尖端放電使得高電流密度處堆積太快;鍍液中的主鹽離子來不及彌補;即由外表渙散或形核操控轉變成液相傳質操控;濃差極化增大得使軸瓦內外表(陰極)發作如下電化學副反響:
2H++2e<==>H2↑
從上述反響能夠看出;當氫離子(H+)濃度(即相應的游離氟硼酸的濃度)增高時;平衡向右邊挪動;推進氫氣(H2)的生成.析氫的成果不只會使鍍層呈現氣流條紋和針孔等缺點;而且還會因為初生態的氫(H  即氫自由基)向鍍層內部浸透構成金屬氫化物而發作晶格歪曲及螺紋錯位表象.若是用掃描電鏡(SEM)調查該鍍層斷面的微觀描摹;能夠發現其晶體呈大棱錐布局[7];直觀上則是鍍層粗糙.另一方面;構成的金屬氫化物是不安穩物質;經烘烤加熱查驗時會分化而釋放出氫氣(H2)然后使鍍層發作鼓泡表象.
4。2。3 游離硼酸(H3BO3)含量的影響
文獻[7、11~24]報導的含量為15~40g/ι.
  在鍍液中存在如下化學平衡:
  HBF4+3H2O<==>H3BO3+4HF
  HF<==>H++F-
  2F-+Pb2<==>PbF2↓
當鍍液中硼酸的含量過低時;上述三個平衡皆向右挪動;結尾招致有害的PbF2堆積的生成.因而;必定量的游離硼酸起安穩游離氟硼酸的作用.
PbF2的溶度積為KSP=4。0×10-8moι/ι.依據溶度積原理;當[F-]2[Pb2+]≥KSP=4。0×10-8moι/ι時;鍍液中就能夠生成PbF2堆積.設鍍液中的[Pb2+]為0。68moι/ι(即140g/ι);將[Pb2+]、KSP之值代入上式得:
  [F-]2×0。68≥4。0×10-8moι/ι.
  經核算得:
  [F-]≥10-3。62moι/ι=0。0002399moι/ι
  =0。0045556moι/ι
  =4。556mg/ι
  4。556ppm
由上述核算可知;當鍍液中游離的[F-]大于4。556ppm時;就會成PbF2堆積;使得鍍液污濁.在這樣的鍍液中進行電鍍時;鍍層會呈現麻點、凹坑、粗糙和起泡等缺點.
由此可見;鍍液中足量的游離硼酸是經過按捺游離氟硼酸的離解;把游離的[F-]操控在低于PbF2堆積分出的程度;然后在一個方面安穩鍍液.
當鍍液中游離硼酸的含量過高時;在氣溫降低的狀況下會分出很多結晶;電鍍時使得鍍層十分粗糙;并影響底層與基體之間的結合力.
4。2。4 陰極電流密度(DK)的影響
跟著DK的升高;鍍層中的錫含量添加;而且堆積速度加速;出產功率進步.當DK降低時;有利于鍍層結晶的細化.
在理論出產中;為了加速進展;期望將DK升得高些,可是終究DK升至多少適合要受鍍液中的主鹽離子;特別是鉛離子(Pb2+)含量的制約.
據文獻[7]報導;當鍍液中的[Pb2+]高達333g/ι時;DK能夠升至4A/dm2;且鍍層反射面{111}的布局系數仍高達1。42;闡明結晶很細.當鍍液中的[Pb2+]為222g/ι時;欲使鍍層反射面{111}的布局系數達1。47時;DK只能升到1A/dm2,若是DK升至2A/dm2;反射面{111}的布局系數降為1。14;此刻鍍層結晶也還較詳盡.當鍍液中的[Pb2+]降為111g/ι;若是DK升至2A/dm2;則反射面{111}的布局系數只要0。63;此刻的鍍層在微觀上講現已不算詳盡了;要到達較詳盡的鍍層;DK只能升1。5A/dm2以下.文獻[7]宣稱;DK的升高招致陰極電位的上升.當陰極電位超越560mV(相關于飽滿甘汞電極)時;無論濃度及其它工藝參數怎么改變;優勢的晶面取向都從{111}改變到{100};即鍍層的結晶由細變粗.這種改變與棱錐形晶面的構成有關;是晶核構成及晶體生長的速度操控進程由外表渙散或形核操控改變為液相傳質操控的成果.
4。2。5 安穩劑含量的影響
空氣中的氧氣(O2)在鍍液中具有必定溶解度;它會將鍍液中一有些二價錫離子(Sn2+)氧化成四價錫離子(Sn4+).Sn4+即便在酸濃度很高的溶液中也會構成溶解度極小的Sn(OH)4;繼之失掉一分子水后生成錫酸(H2SnO3)膠狀懸浮物而影響鍍層質量.
處理上述難題的方法是在鍍液中參加2~12g/ι的氫醌(對一苯二酚)、間一苯二酚或苯酚等抗氧劑.其基本原理是它們與氧反響生成氧化態.通電時;這種氧化態又可在陰極還原本錢來的物質.如此重復;大大降低了鍍液中氧的含量;延緩了Sn2+的氧化;安穩了鍍液.
4。2。6 添加劑含量的影響
在鍍液中參加0。1~5g/ι明膠、胨或桃膠等能夠進步陰極極化;細化結晶;改善渙散才能;還有利于進步鍍層中的錫含量.添加劑太少會使鍍層疏松、粗糙、發黑,過多會使鍍層發脆.
軸瓦減摩鍍層的電鍍由液相傳質、前置轉化、電荷傳遞、外表渙散或形核、構成結晶等五個進程構成.在構成鍍層晶體時;又分為一起進行的兩個進程;即結晶中心(晶核)的生成和生長進程.這兩個進程的速度決議著鍍層結晶的粗細程度.若是晶核的生成速度較快;而晶核生成后的生長速度較慢;則在成晶粒數目較多;晶粒較細.反之晶粒就較粗.也就是說;在電鍍進程中當晶核的生成速度大于晶核的生長速度時;就能取得結晶詳盡、擺放嚴密的鍍層.晶核的生成速度大于晶核的生長速度的程
度越大;則鍍層結晶就越詳盡、嚴密.
結晶安排較細的鍍層;其防護性、功能性和外觀質量都較抱負.理論標明;進步鍍層電結晶時的陰極極化作用;能夠進步晶核的生成速度;便于取得結晶詳盡的鍍層.可是當陰極極化作用超越必定規模時;會招致氫氣很多分出;然后使鍍層變得多孔、粗糙、疏松、燒焦;乃至是粉末狀的;質量反而降低.添加劑含量及游離氟硼酸含量太高或主鹽濃度太低時;鍍層都會呈現上述嚴肅缺點.
4。2。7 溫度的影響
跟著溫度的升高;鍍液中各成分的溶解添加;其濃度可取上限規模.這有利于DK的升高;然后堆積速度加速.但溫度過高則陽極溶解過快;陽極泥增多;使鍍液污濁、鍍層結瘤.一起游離氟硼酸、有機安穩劑等蒸發加速;異味添加、環境惡化.
溫度過低則游離硼酸易分出;使鍍液污濁、鍍層粗糙,一起DK升不上去;堆積速度慢;出產功率低.
5 實驗進程
用L9(34)正交實驗法斷定鍍液中[Pb2+]、游離[HBF4]、游離[H3BO3]及工藝參數DK的最佳值.
5。1 實驗條件
陽極組成:PbSn10,
  溫度:20~25℃,
  電源:三相全波硅整流器,
  試片幾許尺度:100×50×4,
  試片面料(即被鍍基體)的組成:CuPb22Sn2,
  試片面料的外表粗糙度:Ra0。4.
  固定成分含量.
  Sn 2+:15g/ι,Cu:5g/ι,安穩劑:5g/ι,添加劑:2g/ι,
  表1 列號、因子對照表
  --------------------------------------------------------
  L9(3< 1 2 3 5
  sup>4)列號
  --------------------------------------------------------
  因子 A B C D
  --------------------------------------------------------
  表2 因子、水平表
  -------------------------------------------------------------
  水平/數 游離氟硼 鉛離子 游離硼酸 陰極電流
  據/因子 酸[HBF [H3 密度(DK)
   ub>4] BO
   3   sub>]
   A B C D
  -------------------------------------------------------------
  1 75g/ι 250g/ι 25g/ι 4A/dm2
  2 150g/ι 150g/ι 35g/ι 3A/dm2
  3 300g/ι 80g/ι 15g/ι 2A/dm2
  -------------------------------------------------------------
5。2 因子及其水平
游離氟硼酸(HBF4)的濃度(A):A1=70g/ι,A2=150g/ι,A3=300g/ι.
  鉛離子(Pb2+)的濃度(B):B1=250g/ι,B2=150g/ι,B3=80g/ι.
  游離硼酸(H3BO3)的濃度(C):C1=25G/ι,C2=35g/ι,C3=15g/ι.
  陽極電淳密度(DK)(D):D1=4A/dm2,D2=3A/dm2,D3=2A/dm2.
5。3 實驗進程及其成果評估
在細心、細心地預備之后;按正交實驗計劃(見表3)精心安排九次實驗;對實驗成果進行了評估.
  表3 正交實驗計劃及其成果剖析表L9(34)
  -------------------------------------------------------------
  實驗號/水 1 2 3 4 實驗成果評分
  平/列號
  -------------------------------------------------------------
  1 1 1 1 1 100
  2 1 2 2 2 100
  3 1 3 3 3 95
  4 2 1 2 3 80
  5 2 2 3 1 65
  6 2 3 1 2 70
  7 3 1 3 2 45
  8 3 2 1 3 50
  9 3 3 2 1 30
  -------------------------------------------------------------
  K1 295 225 220 195
  K2 215 215 210 215
  K3 125 195 205 225
  R 56。6 10。0 5。0 10。0
  -------------------------------------------------------------
  在表3中;K1分別為各列中第1 水平得分的總和,K2分別為各列中第2水平得分的總和,K3分別為各列中第3水平得分的總和.
  R=(Kmax  Kmin)/3.
四個因子對軸瓦減摩鍍層質量影響的巨細次序是A>B=D>C.即游離氟硼酸的濃度影響最大;鉛離子的濃度及陰極電流密度的影響次之;游離硼酸的濃度影響最小.
如今剖析各因子中的每一水平對軸瓦減摩鍍層質量的影響狀況.
  在A中:K1>K2>K3;第1水平最棒.
  在B中:K1>K2>K3;第1水平最棒.
  在C中:K1>K2>K3;第1水平最棒.
  在D中:K3>K2>K1;第3水平最棒.
經過上述剖析;得出最佳組合條件為A1B1C1D3.即由正交實驗法得出的最佳電鍍條件為
  HBF4(游離): 70g/ι,
  Pb2+: 250g/ι,
  H3BO3(游離): 25g/ι,
  DK: 2A/dm2.
在理論出產中;思考到槽液的導電性及帶出丟失等要素;把游離氟硼酸的濃度及鉛離子的濃度進行恰當調整;前者恰當調高;后者恰當調低.從表3還能夠看出;DK在2~3A/dm2的規模之內時;鍍層質量不同不大;思考到出產進展;因而將它斷定在適合的規模之內.當氣溫降低時;游離硼酸易分出結晶;因而將其濃度思考得略低些.
經充沛權衡多方面的要素;把軸瓦電鍍三元合金減摩層的工藝進行了如下改善.
  Pb2+(以Pb(BF4)2的方式參加):150~200g/ι,
  Sn2+(以Sn(BF4)2的方式參加):10~20g/ι,
  Cu2+(以Cu(BF4)2的方式參加):3~6g/ι,
  HBF4(游離):70~120g/ι,
  H3BO3(游離):20~25g/ι,
  安穩劑:3~10g/ι,
  添加劑:0。5~5g/ι,
  溫度(T):15~35℃,
  陰極電流密度(DK):2~2。8A/dm2,
  時刻(t):15~35min,
  鍍層厚度(δ):15~30μm,
  陽極組成:PbSn9~11,
  陽極面積與陰極面積之比:2.
6 作用
改善后的工藝閱歷了多年的出產運轉檢測.其成果是鍍層結晶細密、潤滑;消除了氣流條紋、針孔、凹坑、結瘤、粗糙等缺點.軸瓦產物的廢話品丟失率由本來的0。5%左右降低到如今的0。1%以下,一次交檢合格品率由本來的90%左右上升到如今的99%以上.可見軸瓦電鍍產物質量有了顯著進步.
曾經;每個陽極方位只能電鍍一副軸瓦;DK開中、下限還時有鍍層粗糙、條紋等缺點發作.改善工藝后;每個陽極方位可電鍍2~4副軸瓦;陰極電流密度比本來進步近50%;而且鍍層結晶仍很細密.改善后的工藝進步工效2~4倍.
我廠軸瓦定貨量逐年上升;產值逐年增高;當前年產值已達一千多萬元.近十年來發作直接經濟效益數千萬元.一起還為主機廠更新換代的主機及進口主機的國產化供給了恰當數量的高質量的軸瓦配件.這些年;我廠有些軸瓦產物已打入世界市.哂幸歡ㄊ康某隹.這一切都與軸瓦電鍍質量的進步有著直接的聯系.

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